单晶硅回收的工艺流程

时间:2019-5-21 作者 :管理员

  单晶硅回收的工艺流程

  切片:将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋,在切片过程中有不一样的结果,主要是大小问题,产生废水和硅渣。

  退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。

  倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片回收时硅片边缘破裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。

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